대전된 표면 (Charged Surface)은 항상 정전기장 (Static E-field)을 형성합니다. 그러므로 정전기에 의한 피해를 고찰할 때, 정전하에 의한 피해 (Hazard of Charges)와 전자장에 의한 피해로 나누어 고찰하겠습니다. 정전하의 피해 메카니즘은 임의의 도체사이의 방전(Discharge)으로, 사람의 손에서 회로기판의 구리선을 통한 방전을 그 예로 들 수 있습니다. 전자장에 의한 피해는 유도 (Induction) 현상에 의한 Item의 파괴를 말하는데, 본 장에서는 RF Radiation 이나 H-field 는 논외로 하고 E-field 만을 고려할 것입니다.

우선 사용한 측정방법에 대하여 설명한 후 방전과 유도 현상을 살펴 그 대책을 검토해 보겠습니다.마지막으로DOD- STD- 1686에 맞추어 방지 물질/장비 및 작업자의 주의점을 간략히 요약하겠습니다.

● Static Meter (정전기 측정기)

정전기 측정기는 Simco사의 Electro-Static Locator (SS-2X)를 사용하여 정전기원(Static Source)의 세기를 측정하였습니다. 측정 전에 미리 Aluminum Sheet로 Calibration 하였습니다. 본 논문에서 제시된 Source의 세기는 모두 피상 전하 (Apparent Charge)로 나타낸 값입니다. 피상전하(단위=V)는 발생되는 전자장의 유도에 의한 파괴가능성을 재는 척도입니다.

● 표면저항 측정

Bechmann Megaohmmeter 로 표면저항을 측정하였는데 측정시 단자의 접촉을 좋게 하기 위하여 Carbon을 채운 폴리-올레핀 을 사이에 끼우고 ( 혹은 알미늄 호일 위에 Shore A 경도 40~60 의 고무판을 올리거나 - ASTM F 150, 여과지를 물에 살짝 적셔 측정부위에 놓기도 한다 -DIN 51953 ) 전극을 5파운드의 추로 눌러 사용하였습니다.

● MOS 의 파괴 여부

사용된 N-Channel MOSFET 는 Motorola 2N 4321 로써 입/출력단에 보호 Diode(회로가 없는 것)를 사용하였습니다. Tektronika 576 Curve-Tracer 로 VGS(Threshold) : VDS=10, ID=10μA 로 측정되었습니다. 실험자는 Wrist-Strap 으로 접지시켰습니다.

많은 실험에서 그림 3. 의 MOSFET Board 를 사용하였습니다. MOS 의 substrate case lead는 작업자가 만지는 'Atenna' 에 접촉시키고 Gate 는 구리선에 의하여 돌출된 리이드로 연결되어 ESD의 발생 가능성을 높여 최악의 조건 (Worst case) 하의 Simulation을 실시하였습니다.

그림 (1) MOSFET Testing Board

실험결과 많은 MOSFET 가 Short 되었습니다. 그러나 잠재적 파괴요인 *주 즉각적인 피해현상을 보이진 않지만 특성의 변화로 우발적이고 급작스런 파괴 가능성을 안고 있는 상태 을 고려, I-V 특성곡선이나 VGS(TH) 값이 0.1V 이상 변하면 파괴로 간주하였습니다. 이하 제시된 데이터는 전체 MOS 의 수와 파괴된 MOS 의 수의 비로 나타내었습니다. 특히 Short 된 MOS 는 괄호 안에 그 숫자를 보였습니다.

● Room Ionization System

High voltage DC power supply 가 구동하고 배출구가 2개인 정화기를 사용하였습니다. 각 배출구는 4개의 코로나 방전점이 있고 플라스틱 Reflector 를 장치하도록 하였고, 작업대 표면에서 59 inch 띄우도록 설치하였습니다.

● Shield / Discharge Test

포장재료의 성능을 체크하는 이 실험은 그림 4.에서 보듯이 0.75in 직경의 알루미늄 Disk사이에 0.5in 아크릴 플라스틱을 끼운 Capacitive sensor 를 3 X 3 inch 크기의 포장재를 넣은 후, 바깥면에 편평한 알루미늄 전극으로 Clamping 시킨 장치로서 한쪽 전극은 접지시키고 다른 쪽은 200pf 콘덴서에 1200V 펄스전압으로 충전시킨 후 이를 400KΩ 저항을 통하여 전압을 인가시켰습니다. 내부 알루미늄 디스크에서는 도선으로 Storage Oscilloscope 에 연결하여 측정되는 펄스전압으로 포장재의 펄스 감쇠율을 %로 표시하였습니다. 예로 Oscilloscope에서 300V 측정되었다면 감쇄율은 (1200-300)/1200=75% 가 되는 것입니다.

그림 (2) 포장재의 성능 측정장치(Shield Check)

● Modified Shielding / Discharge Test


위 측정방법에서 Sensor 로부터 리드선을 끌어내어 이를 MOS 의 substrate-case lead 와 Gate를 악어 클립으로 물어 포장재의 보호성능을 검사하였습니다. 이때 정전기는 대전된 봉 (Charged Prove) 으로 제공되며 경우에 따라서는 대전된 작업자의 손으로 하였습니다. 또한 최악의 조건하의 실험을 위하여 포장재는 Sensor 에 Tape 로 밀착시켰습니다.

● 작업대 표면

작업대 표면재료를 논할 때는 표면의 전하보유(保持)의 정도보다는 그 위에 놓여진 물체의 전하를 유출시키는 성능 (*주. 유기된 전압보다는 흐르는 전류의 크기가 피해를 좌,우 합니다. 즉 정전기에 의한 피해를 가름하는 세가지 변수는 ① 흐르는 전류의 세기 ② 전류의 흐르는 통로 ③ 전류가 흐르는 시간입니다.「 Electro Static Discharge 」美 Hayden社)에 초점을 맞추어야 합니다. 특히 DOD-HDBK-263 에서는 Static Dissipative (10⁶~10⁹Ω/sq) 표면이 가장 이상적이라고 제시되어 있습니다. Antistatic (10¹⁰ Ω/sq 이상) 표면은 전하 유출속도가 너무 느리고 Conductive (10⁵ Ω/sq 이하) 는 안전사고의 위험이 있으며 전하 유출이 너무 빨라 Item을 파괴시킬 수 있습니다. 표면재에 도체막을 Sub-layer 로 한다는 발상도 성공적이진 못 합니다. 왜냐하면 표면의 저항이 큰 경우 전하는 단순히 Voltage-Suppressed 되고 유출되지 않기 때문입니다. 측정결과 ±10,000V 대전된 도체나 Antistatic 포장재를 Antistatic (10¹⁰ Ω/sq 이상)에 1분 동안 놓은 경우 완전히 유출되지 못 하였지만 ( 8,000V 잔여전압 검출), Static Dissipative (10⁶~10⁹ Ω/sq) 에서는 완전히 유출되었습니다 ( 잔여전압 50V 이하 ). 저희의 경험으로는 린넨 섬유가 표면막을 이루고 내부막을 도체 탄소막으로 한후, 1 MΩ 저항으로 접지시킨 작업대 표면이 성공적이었습니다. 특히 이 라미네이트는 용재에 잘 견뎌냈는데 50일간 매일 에틸 케톤으로 Rinsing 해도 아무해가 없었습니다.

Static Dissipative 표면은 도체표면보다 작업자에게 안전하다고 했습니다. 그런데, 부품의 안전을 위해서는 어떨까요 ? 이 질문의 해답을 얻기 위하여 그림 6.3 의 MOS 기판으로 아래와 같은 실험을 하였습니다. 작업자가 DC Power supply 를 접촉하여 여러 레벨로 대전된 후, 일 초 후에 기판을 쥐고 리이드를 Static-Dissipative 나 Conductive 표면에 접촉시켰습니다. 그 결과를 표6-1 에 보였습니다. 어느 경우에나 피해는 발생하였지만,Static Dissipative 표면에 더 안전한 것입니다.결론적으로 Static Dissipative Laminate 가 최상의 선택이라 할 수 있습니다.

표(1) 대전된 작업자가 MOSFET Board 의 리이드를
작업대 표면에 접촉시키는 경우

● 운반 상자 ( Tote Box )

Tote Box 의 선택은 논란의 대상이 되고 있는 부분입니다. Antistatic tote box 는 피층(Sweat layer) 이 벗겨지므로 Antistat 용액으로 정기적으로 처리해야 합니다. 반면에 탄소 처리된 플라스틱 상자는 영구히 전도성을 유지하지만 탄소가루가 떨어져서 부품을 오염시킬 수 있는 것입니다. 또한 오염의 문제가 없다고 해도 탄소처리된 상자는 전도성이 너무 좋은 것이 아닐까 하는 문제가 남게 됩니다. 도체 상자 위의 전하가 내부의 부품으로 급격히 흘러 부품을 파괴할 수 있고 역으로, 대전된 Item 이 급격히 도체상자로 방전되어 Spark 를 일으킬 수도 있기 때문입니다.

이 문제를 해결하기 위하여 그림6.3 의 MOSFET Board 를 상자에 접촉시키고, 작업자와 상자를 각 각 대전시킨 후 인가된 전압에 따라 파괴율을 기록하였습니다. 상자는 Antistatic (2 X 109 Ω/sq) 타입과 Black Conductive ( 2.2 X 104 Ω/sq) 를 선택하였습니다. 작업자가 대전된 경우에는 Static-Dissipative 표면 위에 상자를 놓아 측정하였고, 상자가 대전된 경우에는 절연체 (플라스틱 비이커) 위에 놓은 후 접지된 작업자가 손을 댐으로써 발생되는 방전의 피해를 체크하였습니다. 이상의 실험결과를 표 6-2, 6-3에 요약하였습니다.

표(3) 접지된 작업자가 MOSFET Board 의
리이드를 대전된 물체에 접촉시키는 경우

실험결과 표 6-2, 6-3 에서 보듯이 Antistatic 상자가 도체상자에 비하여 전반적으로 성능이 우수함을 알 수 있습니다. 더불어 작업자가 대전된 경우에는 그 차이가 뚜렷이(표 2.참조) 나타나지만 상자가 대전된 경우 (표 3. 참조) 에는 그 차이가 크지 않음을 유의할 필요가 있습니다. 이것은 상자가 대전된 경우에는 앞에서 언급한 피해 메카니즘 중에서 유도현상이 Dominant 해져 MOSFET 리이드의 Capacitive Coupling 이 중요한 변수가 되는 반면, 작업자가 대전된 경우에는 리이드에 접촉하는 상자 표면의 저항치에 따른 방전이 피해를 지배하기 때문입니다. 상단의 그림 6.5는 ESD Tote Box 가 현장 라인에서 사용되는 예를 보여줍니다.

결론적으로 말하자면 작업자의 주의가 부족한 작업환경에서는 Antistatic 상자가 바람직하며, 작업자가 충분히 훈련된 경우라면 정기적인 처리가 불필요한 전도성 상자도 무방하다고 할 수 있습니다. 물론 이 경우 전도성 상자의 오염문제가 지장을 초래하지 않아야 할 것입니다.

● 비 전도성 플라스틱

폴리에틸렌 필름 (0.004 in) 을 -13,000V 로 대전시킨 후 접지된 알루미늄 막 위에 놓은 결과 -300V 로 전압감쇄가 일어났으며 접지된 MOSFET Board 의 리이드를 플라스틱 표면에 접촉시킨 결과, 피해율은 0/3 이었습니다. 마찬가지로 비닐의 경우도 같은 결과를 얻었습니다. 즉 비 전도성 플라스틱은 높은 전하를 방출할 수도 없고 감쇄된 전압으로 인하여 위험수위의 Field 도 형성할 수 없던 것입니다.이상의 관측으로부터 Field 가 주된 피해 요인임을 알 수 있습니다. 표 6-4 에 보고 된 피해는 접촉에 의한 방전보다는 근접시킬 때 발생하는 유도에 의한 것이라고 생각됩니다.

표(4) 여러 대전체로부터 발생하는 Field 에 의한 피해

● 작 업 자

여기서는 작업자의 피부에 유기되는 전하의 피해는 논외로 하고, 부품이나 상자가 대전되었을 때 작업자의 행동이 미치는 영향에 대하여 고찰하겠습니다. 그 이유는 작업자가 접지되어야 함은 이미 발표된 많은 논문에서 자명해졌기 때문입니다.

작업자가 접지되었다고 피해가 없는 것은 절대 아닙니다. 표 6-3. 6-4.에서 보듯이 접지되지 않은 작업자보다 그 피해가 적을 뿐이며 접지 되었더라도 부품의 파괴를 일으킬 수 있습니다. 예로써 Coating 을 위한 Spray 로 접촉성 정전기 (Triboelectric) 가 발생되어 있는 부품을 접지된 작업자가 접촉하면, 작업자는 방전로 (Discharge-path) 를 형성하여 피해를 유발할 수 있습니다.

문제의 해결책은 작업자가 항상 각성하여 Item 의 리이드를 접촉하지 않도록 한다는 것입니다. 또는, 작업자가 Static Dissipative 장갑 (면+도전사 합성섬유) 을 사용하여 손의 저항을 적절히 높이는 방법이 있는데 이 아이디어는 정전기가 계속 발생되는 작업장이나 사출 (Grit Blasting) 에 유용합니다.

● 거리와 정전기장 (Static Field) 의 관계

● 공기 이온화 장치

이온화 장치의 공기노즐로 부터 정해진 거리에서 접지된 작업자가 그림 3. 의 MOSFET Board 를 흔들어 그 피해율을 기록하여 표 6-5 를 얻었습니다. 표에서 보듯이 안전거리는 10 inch 정도입니다. V-C 펄스 이온기는 공기 흐름이 없으므로 Blower 타입으로 하는 것이 더 바람직하다 할 수 있습니다. 반면에 Nuclear 타입은 전자장이 발생되지 않기 때문에 정전기 피해가 없고, 소형이라는 이점이 있습니다.

요약하면 10 inch 이상 떨어져 사용하면 이온기는 피해가 없으며, 가까이서 ESD Item을 취급 하거나 Cleaning 을 위해서는 Nuclear Type 이 필요한 것입니다.

표(5) 이오나이져에서 발생하는 Feild 의 영향

● 실내 이온화 장치 ( Room Ionization System )

Room Ionization 이 필요한 이유는 본고 에서는 논외키로 하겠습니다. 여기서는 D-C Room Ionization System 의 몇 가지 의문점에 대하여 고찰하겠습니다.

이 시스템은 +, - 이온 배출구가 같은 전압에서 작동되므로 Net-Field 가 거의 무시할 만하고 이온간의 불균형이 5 ft 떨어진 작업대에서는 문제가 안됩니다. 하지만 어떤 이유로 갑자기 불균형이 발생한다면 작업대위의 도체가 충분히 대전되어 부품을 파괴하지 않을까요 ? 이 문제의 해답을 얻기 위하여, 앞의 실험장치 ( 2.4항)를 설치하고 알루미늄 막을 비 전도성 플라스틱으로 작업대 표면을 격리시켜 Capacitance를 형성하게 한 후 한쪽 전극만을 동작시켜 MOS 의 파괴를 기록하였습니다. 그 결과를 표 6 에 보였습니다.

표(6) 불균형(Unbalanced)된 D-C Room Ionization System 의 영향

보통의 시스템 동작이 8,200V에서 이루어 지는 것을 감안하면 Room Ionization 은 정전기 피해를 일으키지 않는다고 결론 지을 수 있습니다.

그림 (3) Room Ionization System

Room Ionization System 이 피해를 일으키지 않는 것을 확인하였으므로 이번에는 그 전하 중화능력 ( Ability of neutralizing ) 을 살펴보겠습니다. 작업대 높이에서 여러 물질의 전압 감쇄성향을 잰 결과 표 (7) 을 얻었습니다. 또한 시스템이 불균형되었을 때도 역시 마찬가지 결과를 얻었고, 상대습도를 변화시키면서 측정한 결과 마찬가지 효과를 얻었습니다. 즉 Room Ionization System 의 효용을 정당화할 수 있는 것입니다.

표(7) Room Ionization 이 있는 경우와 없는 경우의 Charge Decay Rate

또 다른 문제는 배출구와 대전체의 상대적 위치입니다. + 대전체를 + 배출구 아래 놓으면 감쇄속도가 작을 것이라고 예측할 수 있는 것입니다. 또한 어느 위치에서나 이온화 시스템이 있는 경우가 없는 경우보다 훨씬 효과적이었습니다. 특히 일반적인 이온화 시스템의 경우 배출구 앞에 Grid (격자무늬의 창살) 가 붙어 거의 일정한 조건을 제시해 줍니다.결론적으로 Room Ionization System 은 전하나 전장에 의한 피해가 없으며 비 도체의 전하를 중화시키는데 아주 효과적이라 할 수 있습니다. 그림 8.은 그 효과를 단적으로 보여주는 그래프로서 Room Ionization 이 되는 경우의 전하 감쇄율 (Charge Decay Rate) 이 훨씬 빠름을 알 수 있습니다.

● 작업 동작

DOD-HDBK-263 이나 미 해군 훈련지침서에 정전기 피해를 일으키는 여러 동작의 리스트가 나와 있습니다. 그 중에서 Roll 에서 Masking Tape 를 벗기는 Grit-Blasting 에 대하여만 간단히 논 하겠습니다.도전 테이프는 자체의 전도성으로 인하여 전압 감쇄가 일어나 전기장의 문제가 없으나 아크릴 접착제로 인하여 피해가 발생하므로, 이것이 문제가 되는 경우에는 접착제를 실리콘 접착제로 바꾸어야 합니다. Blasting 작업은 기판에 큰 정전기를 유발시켜 피해가 일어날 수 있으므로, 이온 정화기를 노즐 근처에 두어 발생되는 정전기를 감쇄시켜야 합니다.

● 작업화 및 인체

우선 전도성 신발 (가죽창) 과 비 전도성 신발 (네오프렌 창) 의 전하 감쇄시간 ( Charge Decay Time ) 을 결정하기 위하여 점착성 Dust Control Mat 등과 같은 정전기원을 지나간 후에 실험을 하였습니다. 이때 인체는 앞의 정전압 측정 센서의 UHF Connector 에 연결하고 그 추이를 기록하였는데 그림8.9. 는 그 예입니다. 여기서는 작업자를 500μΩ 막대저항을 통하여 대전되는 Steel 판 위에 서 있게 하였습니다.

그림6.9 에서 보듯이 도체 신발의 방전이 부도체의 경우보다 더 느립니다. 그 이유는 전하가 전도성 창을 통하여 흘러가 많은 전하가 인체와 의복에 분포하게 되기 때문입니다. 그림에서는 5 Kv 로 대전시킨 경우, 처음에는 2Kv 까지 떨어지고 그후 200 V 미만으로 떨어집니다.그 후의 작은 기복은 아주 미세한 움직임으로 인한 대전성 대전으로 인한 것입니다.

비 전도성 신발의 경우 인체는 신발의 유도체로 인한 유도전하를 가지게 되며 신발로부터 전해지는 전하가 없습니다. 따라서 5 Kv 로 대전된 신발창이 바닥에 닿는 경우 전하는 신속히 바닥에 분산되게 됩니다. 또한 400 V 근처의 심한 기복은 창의 접촉성 대전에 의한 것입니다. 모든 부도체는 전하를 함유할 수 있으므로 신발에서 발생한 정전압이 인체를 같은 레벨로 올리는 것입니다.

● 작 업 자

적절히 접지된 작업자는 피부에 정전기가 없지만, 소매가 말아 올려진 경우 손목의 털에서 900 V 정도의 정전기가 발생하고 있어 많은 회사에서 큰 문제 거리로 대두되어 있습니다. 머리털도 단정히 빗어 묶지 않는 경우엔 정전기로 인한 피해를 유발합니다.

앞의 표 6.4.에서 보듯이 합성섬유로 된 의복은 정전기를 간직하며 부품을 파괴할 수 있으므로 여하한 경우에도 부품에 접촉해선 안됩니다. Anti Static 의복이 Fiber 를 포함한 것은 안됩니다. 왜냐하면 회로를 Short 시킬 수 있기 때문입니다. 작업의자도 비전도성이면 피해를 일으킵니다. 일반적인 해결방법은 작업자가 Item 을 대전체 주위에 근접시키지 않도록 훈련하는 일이며 머리를 뒤로 단정히 묶는 것입니다.

여기서는 Wrist Strap 과 Bag 만을 논하겠습니다.

● Wrist Strap

여러 디자인이 실험되었습니다. Bead Chain 형은 접촉이 몇 Point에서 돼지만 MOS 를 보호하는 것으로 나타났습니다. 이 디자인의 단점은 접촉이 Loose 해 진다는 것입니다. 이 단점을 보완하기 위해서는 Metal 을 피부에 단단히 접촉시키는 디자인이 바람직한데 이 'Wristwatch' 형은 탄소막 플라스틱의 전도성이 좋아야 하는데 실험에서는 탄소섬유 밴드에 Steel Fiber 를 0.09 inch 길이로 댄 것을 사용하였습니다 . 형태 및 접지 관련 그림은 한국 엠엠피 발행 『 정전기 제어 시스템 』(제1권- 2장-인체의 대전방지) 을 참고 하십시오.

● Faraday - Cage Bag

정전기 방지용 Bag 은 두 가지 점에서 적합한 성능을 발휘해야 합니다.

① 내부의 접촉성 대전 ( Triboelectric Charging ) 을 방지해야 하며
② 외부의 전자기파에 대하여 적합한 차단효과 ( Shielding ) 을 갖고 있어야 합니다.

표 6-8. 에서는 각 Bag 의 Pulse Attenuation 을 측정하여 기록하였습니다. 폴리에틸렌 Bag을 제외한 다른 백들은 모두 어느 정도 Shielding 효과를 갖고 있는데 93% 정도의 감쇄율이면 충분합니다. Bag 에 Device 를 넣고 한 실험 결과로써 알루미늄 막을 포함한 라미네이트 구조가 제일 바람직하다 할 수 있습니다. 결국 라미네이트 구조가 Bag 의 유도현상 모두에 완전한 보호를 합니다. 일반적으로 알루미늄 막을 Anti-Static 처리된 Polyethylene 에 Sandwich 시킨 라미네이트 (그림 6.11.)를 많이 사용합니다.

표(8) Shielding / Discharge Test

현재 이 문제를 다루는 학파는 두 갈래입니다. 한 편에서는 도체 물질의 제거를 주장하고 다른 한편에서는 작업장의 모든 물체를 도체로 간주하여 접근하는 방식을 택하고 있습니다. 어느 접근 방법이나 혹은 양자의 혼합이나 그에 대응하는 취급 법으로 사용하면 효과적입니다. 표 9. 는 방지책 및 요령에 대한 일반적인 원리를 요약한 것입니다.

이상의 방지 장비가 효과적으로 이용되기 위해서는 작업자의 작업태도가 그 성패를 좌우합니다. 예로 접지된 작업자는 작업자가 Wrist Strap 을 착용하지 않고 리이드를 의자에 접촉시키면 오히려 해가 될 수 있습니다. DOD-HDBK-1686 에도 제시되어 있듯이 작업자의 훈련이 중요한데 그 기본 Rule 은 아래와 같습니다.

① ESDS ITEM 을 필요없이 손이나 기타 대전된 표면에 근접시키지 말 것.
② Static-Safe 처리된 작업장이 아니면 항상 부품을 작업대 위에 둘 것.
③ 작업장에서 필요없는 물건은 항상 옆으로 치워 정돈할 것.
④ 부품의 리이드를 접촉하면 모든 도체 (예로 납땜 인두) 는 항상 접지 시킬 것.
⑤ 습도 조절기나 이온화 장치만으로 모든 것이 해결되는 것이 아님을 명시하고 여러 대비책을 병행할 것.
⑥ Wrist Strap 의 저항은 자주 체크하여 적당한 레벨로 맞출 것.
⑦ Static Meter 로 작업장을 조사하여 적절한 대비책을 세울 것.
⑧ 정전기를 발생 시키는 작업 동작을 특히 주의할 것.
⑨ 접지 되었더라도 작업자는 자신이 피해의 원인이 될 수 있음을 명심할 것.
⑩ 작업자 개인 용품 중에서 플라스틱 제품은 반드시 치워 놓을 것.

표(9) 정전기 대책 장비 / 물질

1. 작업대 표면재는 작업자의 안전이나 적절한 방전 속도를 위하여 Static-Dissipative 로 해야 합니다.
2. 운반 상자는 작업자가 대전된 경우에, Anti-static 이 도체 상자보다 훨씬 유리한 반면 상자가 대전된 경우에는 그 차이가 미세 합니다. 양자 모두 장,단점이 있으며 적절히 사용되면 어느 것을 써도 무방합니다.
3. 정전기를 함유한 비전도성 플라스틱은 방전에 의하기 보다는 전자장에 의한 유도로 그 피해가 일어납니다.
4. 대전된 표면에서 유도현상의 안전 거리는 d=√v/1.8 만큼 두어야 합니다.
5. 이상의 결과를 요약하면
① 도체는 모두 접지시켜 50V 이상의 정전기가 함유되지 않게 하고
② Field Meter 로 비 전도체를 측정 300V 이상의 전하가 생기지 않게 하고
③ Static Field 를 없앨 수 없으면 위에서 계산된 d 만큼 띄워 안전을 보장해야 한다.
6. 공기 이온정화기는 배출구로부터 10 inch 이상 띄워 부품을 놓아야 합니다.
7. D-C Ionizer 는 Fan 이 있는 Pulse Type 이 보다 낫습니다.
8. Room Ionization System 은 불 균형시에도 해가 없고 부품의 놓이는 위치에 상관없이 거의 일정한 효과를 보입니다.
9. 도체 테이프는 전하 유출과 전압 감쇄로 전자장을 막는 효과가 있으며, 문제가 될 경우 접착제를 바꾸어 사용하면 됩니다.
10. Grid Blasting 시에 코로나 방전기를 사용하면 피해가 없습니다.
11. Bead Chain 형 Wrist Strap 은 효과적이나 손목위에 꼭 접촉되지 않으므로 Wrist-watch 형이 추천할 만 합니다.
12. Faraday Cage Bag 은 알루미늄 막을 함유한 라미네이트가 제일 바람직합니다.
13. 적절한 방지 장비/물질의 선택과 더불어 그에 적합한 작업자의 테크닉이 병행되어야 합니다.
14. 작업자의 기본 수칙은 DOD-HDBK-1686 에 요약되어 있는바 작업자가 이 수칙을 철저히 지켜야만 ESD Program 이 성공할 수 있습니다 ( 본문참조)

● 원 본

HAZARDS OF STATIC CHARGES AND FIELD AT THE WORK STATION

John M. Kolyer, William E. Anderson and Donald E. Watson

Rockwell International Corporation

Autonetics Strategic Systems Division

Defense Electronic Operations